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申请/专利权人：张江国家实验室
申请日：2022-12-09
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN118210201A
主分类号：G03F7/20
分类号：G03F7/20;H01L21/027;G03F7/30;G03F7/40
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.18#公开
摘要：本发明涉及一种用于半导体工艺的多重图案化方法，其至少进行两次曝光图案不同的效率高、成本低、操作简单且能够实现线条密度倍增的光刻工艺，从而实现了图案密度的进一步增加以及图案尺寸的进一步微缩。
主权项：1.一种用于半导体工艺的多重图案化方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：1在基底材料上利用负性光刻胶形成第一负胶层，并利用正性光刻胶在所述第一负胶层上形成第一正胶层；2以第一曝光图案，对所述第一负胶层和所述第一正胶层进行图形化，从而在所述第一正胶层和所述第一负胶层上分别形成第一正图形区和第一负图形区，其中，所述第一正图形区大于所述第一负图形区；3用正胶显影液对所述第一正胶层进行显影，以去除所述第一正图形区中的正性光刻胶；4用负胶显影液对所述第一负胶层进行显影，以去除位于所述第一负图形区附近的负性光刻胶，进而提供与所述第一正图形区、所述第一负图形区的尺寸相关的第一暴露区，以暴露所述基底材料；5通过刻蚀技术或者材料沉积技术在所述基底材料的所述第一暴露区上形成第一形成图案；6在形成有所述第一形成图案的基底材料上利用负性光刻胶形成第二负胶层，并利用正性光刻胶在所述第二负胶层上形成第二正胶层；7以与所述第一曝光图案不同的第二曝光图案，对所述第二负胶层和所述第二正胶层进行图形化，从而在所述第二正胶层和所述第二负胶层上分别形成第二正图形区和第二负图形区，其中，所述第二正图形区大于所述第二负图形区；8用正胶显影液对所述第二正胶层进行显影，以去除所述第二正图形区中的正性光刻胶；9用负胶显影液对所述第二负胶层进行显影，以去除位于所述第二负图形区附近的负性光刻胶，进而提供与所述第二正图形区、所述第二负图形区的尺寸相关的第二暴露区，以暴露所述基底材料；10通过刻蚀技术或者材料沉积技术在所述基底材料的所述第二暴露区上形成第二形成图案的步骤。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 张江国家实验室 用于半导体工艺的多重图案化方法及多重图案化系统
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