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申请/专利权人：三星电子株式会社
申请日：2023-07-21
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN118215301A
主分类号：H10B43/35
分类号：H10B43/35;H10B43/27;H10B41/35;H10B41/27
优先权：["20221215 KR 10-2022-0176216"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.18#公开
摘要：提供了垂直非易失性存储器件及其制造方法。所述垂直非易失性存储器件可以包括：模制结构，其包括第一绝缘图案及第二绝缘图案和第一栅电极；半导体图案，其在第一方向上延伸通过模制结构；第一电荷绝缘层，其位于第一绝缘图案与半导体图案之间；第二电荷绝缘层，其与第一电荷绝缘层间隔开并且位于第二绝缘图案与半导体图案之间；电荷存储层，其位于第一电荷绝缘层与第二电荷绝缘层之间并且位于第一栅电极与半导体图案之间；以及第一阻挡绝缘层，其位于第一栅电极与电荷存储层之间，并且第一栅电极在第一方向上的第一长度短于电荷存储层的与第一阻挡绝缘层接触的第一表面在第一方向上的第二长度。
主权项：1.一种垂直非易失性存储器件，所述垂直非易失性存储器件包括：单元衬底；模制结构，所述模制结构包括依次堆叠在所述单元衬底上的第一绝缘图案、第一栅电极和第二绝缘图案；半导体图案，所述半导体图案在与所述单元衬底的顶表面相交的第一方向上延伸通过所述模制结构；第一电荷绝缘层，所述第一电荷绝缘层位于所述第一绝缘图案与所述半导体图案之间；第二电荷绝缘层，所述第二电荷绝缘层与所述第一电荷绝缘层间隔开，并且位于所述第二绝缘图案与所述半导体图案之间；电荷存储层，所述电荷存储层位于所述第一电荷绝缘层与所述第二电荷绝缘层之间并且位于所述第一栅电极与所述半导体图案之间；以及第一阻挡绝缘层，所述第一阻挡绝缘层位于所述第一栅电极与所述电荷存储层之间，其中，所述第一栅电极在所述第一方向上的第一长度短于所述电荷存储层的与所述第一阻挡绝缘层接触的第一表面在所述第一方向上的第二长度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 垂直非易失性存储器件及其制造方法
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