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申请/专利权人：艾克塞利斯科技公司
申请日：2022-10-28
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN118215979A
主分类号：H01J37/08
分类号：H01J37/08;H01J27/08
优先权：["20211029 US 63/273,338"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.18#公开
摘要：一种离子源具有电弧室，所述电弧室具有一个或多个辐射产生特征、包围内部容积的电弧室主体以及限定在其中的至少一个气体入口孔。气体源通过气体入口孔提供诸如源种类气体或卤化物的气体。源种类气体可以是铝基离子源材料，例如二甲基氯化铝。靠近气体入口孔定位的一个或多个屏蔽件提供气体入口孔和内部容积之间的流体连通，最小化从一个或多个辐射产生特征到气体入口孔的视线，并且基本上防止热辐射从一个或多个辐射产生特征到达气体入口孔。
主权项：1.一种离子源，包括：电弧室，其具有限定在其中的一个或多个辐射产生特征，其中，所述电弧室包括大体包围内部容积的电弧室主体，并且其中，所述电弧室主体具有限定在其中的气体入口孔；气体源，其被配置为通过所述气体入口孔提供气体；以及一个或多个屏蔽件，其定位成靠近所述气体入口孔，其中，所述一个或多个屏蔽件提供所述气体入口孔和所述内部容积之间的流体连通，并且其中，所述一个或多个屏蔽件最小化从所述一个或多个辐射产生特征到所述气体入口孔的视线，并且被配置为基本上防止热辐射从所述一个或多个辐射产生特征到达所述气体入口孔。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 艾克塞利斯科技公司 用于离子源的屏蔽气体入口
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