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申请/专利权人：青岛翼晨镭硕科技有限公司
申请日：2024-02-06
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN118213845A
主分类号：H01S3/1118
分类号：H01S3/1118;C23C14/30;C23C14/00;C23C14/14;C23C14/58;C23C16/40;C23C16/50;C01B32/194;C01B33/18
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.18#公开
摘要：一种纳米网格石墨烯可饱和吸收体，所述纳米网格石墨烯可饱和吸收体依次包括砷化镓衬底层、布拉格反射层、量子阱吸收层、SiO2纳米柱层、石墨烯纳米网格层；所述SiO2纳米柱层的厚度为100‑300nm；石墨烯纳米网格层使用单层石墨烯；所述石墨烯纳米网格层和SiO2纳米柱层为相同的点阵结构和反点阵结构。所述纳米网格石墨烯可饱和吸收体可以控制石墨烯带隙，氧化硅纳米柱可以限制载流子逃逸，形成局域等离子增强效应，协同作用增强可饱和吸收效果。所述制备方法可重复性好，且在工艺流程中不需要电子束曝光等高精度纳米级光刻，成本低，效率高。
主权项：1.一种纳米网格石墨烯可饱和吸收体，所述纳米网格石墨烯可饱和吸收体依次包括砷化镓衬底层、布拉格反射层、量子阱吸收层、SiO2纳米柱层、石墨烯纳米网格层；所述SiO2纳米柱层的厚度为100-300nm；所述石墨烯纳米网格层和SiO2纳米柱层为相同的点阵结构和反点阵结构；当其为点阵结构时，石墨烯圆孔的孔径为10-100nm，更优选为16-90nm；当其为反点阵结构时候，石墨烯孔隙为圆孔状，且直径为10-100nm，更优选为16-90nm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 青岛翼晨镭硕科技有限公司 一种纳米网格石墨烯可饱和吸收体及其制备方法
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