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申请/专利权人：电子科技大学
申请日：2024-03-19
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN118213389A
主分类号：H01L29/10
分类号：H01L29/10;H01L29/78
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.18#公开
摘要：本发明提出一种纳米空气沟道三极管及其制备方法，纳米空气沟道三极管包括衬底，衬底一端覆盖电极作为源极，在源极旁未覆盖电极的衬底处刻蚀从上表面向底面方向的凹槽，凹槽将衬底分为两部分，一部分为衬底覆盖有电极的端部，另一部分为衬底未覆盖电极的端部；在凹槽内设有与凹槽大小相适配的介质层并在介质层顶部覆盖电极，作为栅极；在衬底未覆盖电极的端部远离栅极处沉积一层介质层并在介质层顶部覆盖电极，作为漏极。本发明提出的三极管将源漏之间的载流子输运限制在更薄的衬底处，使得较小的栅极电压就能实现栅控效果，提高三极管的栅控能力；并且避免了栅极影响粒子轨迹并接收电子，造成栅漏电流。
主权项：1.一种纳米空气沟道三极管，包括衬底，其特征在于：所述衬底一端覆盖电极作为源极，在源极旁未覆盖电极的衬底处刻蚀从上表面向底面方向的凹槽，凹槽将衬底分为两部分，一部分为衬底覆盖有电极的端部，另一部分为衬底未覆盖电极的端部；在凹槽内设有与凹槽大小相适配的介质层，并在介质层顶部覆盖电极，作为栅极；在衬底未覆盖电极的端部远离栅极处沉积一层介质层并在介质层顶部覆盖电极，作为漏极；再利用湿法腐蚀侧向腐蚀漏极处的介质层，以构成空气沟道。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 电子科技大学 一种纳米空气沟道三极管及其制备方法
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