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【发明公布】一种六方氮化硼体单晶沟槽型中子探测器_吉林大学;大连理工大学_202410335431.7 

申请/专利权人:吉林大学;大连理工大学

申请日:2024-03-22

公开(公告)日:2024-06-18

公开(公告)号:CN118210012A

主分类号:G01T1/24

分类号:G01T1/24;C01B21/064

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.06.18#公开

摘要:一种六方氮化硼体单晶沟槽型中子探测器,由大尺寸六方氮化硼体单晶组成,所述六方氮化硼体单晶的横向面积大于1cm×1cm,厚度大于100μm,既是中子转换层也是载流子收集层,无需额外使用转换层,就可以直接俘获中子,并在层中产生载流子,起到直接探测中子的效果;此外,采用侧端沟槽型横向电极,使得产生的载流子能够快速的在六方氮化硼002平面内进行传输,可实现载流子的有效收集。本发明所制作的半导体中子探测器体积小、重量轻、能量分辨率高、探测效率高,可应用于核反应过程监测、核能安全勘探、医疗器械、无损检测和探测、深空探测以及先进电子设备的内部结构探测领域。

主权项:1.一种六方氮化硼体单晶沟槽型中子探测器的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:1提供绝缘基板;2将六方氮化硼体单晶放置于绝缘基板上作为六方氮化硼中子探测层,探测层上表面法线方向为六方氮化硼[002]晶向;3随后在六方氮化硼中子探测层的侧端制备沟槽型横向电极;所述六方氮化硼体单晶是由单晶生长方法所制备,包括高温高压法、温度梯度法、常压金属熔剂法;所述六方氮化硼体单晶的厚度为100μm以上,横向面积大于1cm×1cm;所述六方氮化硼体单晶的整体晶型为六方最密堆积晶体结构,层间排列方式为ABAB堆积方式,单晶性优异,根据X射线衍射数据计算得到的结晶度达到95%及以上,拉曼光谱E2g振动峰的半峰宽小于10cm-1;所述六方氮化硼体单晶的杂质含量低于1014cm-3,透明,对250nm~1200nm波长的光透过率大于95%;所述六方氮化硼体单晶的禁带宽度大于5.8eV;所述六方氮化硼中子探测层由六方氮化硼体单晶独立构成,既是对中子敏感核反应材料作为中子转换层,又是宽禁带半导体材料通过施加电场分离电子空穴对作为载流子收集层,无需额外增加中子转换层;所述沟槽型横向电极制备在六方氮化硼中子探测层沿绝缘基板平面方向的两个相对侧面,即与六方氮化硼002晶面的垂直方向接触,可充分收集载流子。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 吉林大学;大连理工大学 一种六方氮化硼体单晶沟槽型中子探测器

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