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申请/专利权人：朗姆研究公司
申请日：2020-03-18
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN113710829B
主分类号：C23C16/26
分类号：C23C16/26;C23C16/505;H01J37/32;H01L21/033
优先权：["20190325 US 62/823,211"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.18#授权;2021.12.14#实质审查的生效;2021.11.26#公开
摘要：一种用于在衬底上沉积碳可灰化硬掩模层的方法包括：a将衬底布置在处理室中；b将室压强设定在预定压强范围内；c将衬底温度设定在‑20℃至200℃的预定温度范围内；d供应包含有烃前体和一或更多种其他气体的气体混合物；以及e通过供应RF等离子体功率持续第一预定时段来激励等离子体，以在该衬底上沉积碳可灰化硬掩模层。
主权项：1.一种用于在衬底上沉积碳可灰化硬掩模层的方法，其包括：a将所述衬底布置在处理室中；b将室压强设定在预定压强范围内；c将衬底温度设定在-20℃至200℃的预定温度范围内；d供应包含有烃前体和一或更多种其他气体的气体混合物；e通过供应RF等离子体功率和RF偏置功率持续第一预定时段，RF等离子体功率以30W至3000W范围内的第一功率电平和RF偏置功率以大于0W至1000W范围内的第二功率电平分别激励等离子体，以在该衬底上沉积所述碳可灰化硬掩模层；f在所述第一预定时段后，停止所述烃前体的流动；以及g在所述衬底上执行衬底处理，以降低应力，其包括：g1供应惰性气体混合物；g2以小于所述第一功率电平的第三功率电平来供应所述RF等离子体功率；g3以小于所述第二功率电平的第四功率电平来供应所述RF偏置功率；g4在所述第四功率电平下的第二预定时段之后，以大于所述第四功率电平的第五功率电平来供应所述射频偏置功率持续第三预定时段；以及g5在所述第三预定时段之后，以小于所述第四功率电平的第六功率电平来供应所述RF偏置功率持续第四预定时段；其中：所述第三功率电平是在0W至500W的范围内；所述第四功率电平是在30W至1000W的范围内；所述第五功率电平是在100W至1500W的范围内；以及所述第六功率电平是在30W至1000W的范围内。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 朗姆研究公司 高蚀刻选择性的低应力可灰化碳硬掩模
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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