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申请/专利权人：浙江大学绍兴微电子研究中心;浙江大学;绍兴市科技创业投资有限公司
申请日：2020-12-22
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN112596157B
主分类号：G02B6/122
分类号：G02B6/122
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.18#授权;2021.04.23#实质审查的生效;2021.04.02#公开
摘要：本发明公开了一种硅基磁光非互易条形光波导，在SOI晶片上顶层硅的基础上形成条形光波导的芯部。这种光波导的特征在于：条形光波导的芯部包括两部分，一部分是位于波导芯部最上层的铁磁金属纳米颗粒掺杂条形顶层硅芯部，另一部分是位于铁磁金属纳米颗粒掺杂条形顶层硅芯部与氧化硅层之间的条形顶层硅芯部，其中铁磁金属纳米颗粒掺杂条形顶层硅芯部中的铁磁金属纳米颗粒在SOI基片上的顶层硅中用掺杂技术原位形成。本发明可以实现硅基磁光非互易条形光波导的制作，解决了磁光材料与SOI条形顶层硅芯部光学参数之间匹配的问题，同时解决了磁光材料与硅基光波导制作工艺的兼容性问题。
主权项：1.一种硅基磁光非互易条形光波导，其特征在于：条形光波导的芯部包括两部分，一部分是位于波导芯部最上层的铁磁金属纳米颗粒掺杂条形顶层硅芯部5，另一部分是位于铁磁金属纳米颗粒掺杂条形顶层硅芯部5与氧化硅层2之间的条形顶层硅芯部3，其中铁磁金属纳米颗粒掺杂条形顶层硅芯部5中的铁磁金属纳米颗粒在SOI基片上的顶层硅中用掺杂技术原位形成；步骤A，平板状顶层硅6表面层铁磁金属纳米颗粒掺杂，具体包括以下操作：先在SOI基片的表面通过离子注入并经过后续退火过程，将SOI基片上平板状顶层硅6的上层制作成平板状铁磁金属纳米颗粒掺杂顶层硅7；控制离子注入的工艺参数，可以控制平板状铁磁金属纳米颗粒掺杂顶层硅7的厚度，使平板状顶层硅6厚度方向上部分掺杂，即掺杂后平板状顶层硅6的厚度大于零；步骤B，条形光波导的加工，具体包括以下操作：采用常规的硅基条形光波导制作技术将SOI基片氧化硅层2上方的平板状铁磁金属纳米颗粒掺杂顶层硅7和平板状顶层硅6的基础上制作成条形光波导；制作完成后，平板状铁磁金属纳米颗粒掺杂顶层硅7形成铁磁金属纳米颗粒掺杂条形顶层硅芯部5，平板状顶层硅6形成条形顶层硅芯部3；铁磁金属纳米颗粒掺杂条形顶层硅芯部5和条形顶层硅芯部3共同构成条形光波导的芯部。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江大学绍兴微电子研究中心;浙江大学;绍兴市科技创业投资有限公司 一种硅基磁光非互易条形光波导
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