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【发明授权】溅镀靶、积层膜的制造方法、积层膜及磁记录媒体_JX金属株式会社_202111090388.5 

申请/专利权人:JX金属株式会社

申请日:2018-08-16

公开(公告)日:2024-06-18

公开(公告)号:CN113817993B

主分类号:C23C14/34

分类号:C23C14/34;C23C14/16;B22F3/14;B22F3/105;C22C1/05;C22C32/00;G11B5/73;G11B5/84;G11B5/851;H01F41/18

优先权:["20170921 JP 2017-180830"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.06.18#授权;2022.01.07#实质审查的生效;2021.12.21#公开

摘要:本发明涉及溅镀靶、积层膜的制造方法、积层膜及磁记录媒体,其中该溅镀靶含有Co与选自由Cr及Ru组成的群中之一种以上的金属作为金属成分,上述选自由Cr及Ru组成的群中之一种以上的金属的含量相对于Co的含量的摩尔比为12以上,且含有Nb2O5作为金属氧化物成分。

主权项:1.一种溅镀靶,其含有Co与包含Cr及Ru中的至少Ru的金属作为金属成分,该包含Cr及Ru中的至少Ru的金属的含量相对于Co的含量的摩尔比为12以上,且含有Nb2O5作为氧化物成分,Nb2O5的含量为2mol%~5mol%,进一步含有Nb2O5以外的氧化物,包含Nb2O5的氧化物的合计含量为30vol%以上,该Nb2O5以外的氧化物是选自由TiO2、SiO2、B2O3、CoO、Co3O4、Cr2O3、Ta2O5、ZnO及MnO组成的群中的至少一种氧化物,以15mol%以上且未达60mol%含有Co。

全文数据:

权利要求:

百度查询: JX金属株式会社 溅镀靶、积层膜的制造方法、积层膜及磁记录媒体

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