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发光复合物和发光结构体与光学片材及电子装置 

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申请/专利权人:三星电子株式会社

摘要:本发明涉及发光复合物和发光结构体与光学片材及电子装置。发光复合物包括发光元件和结合至所述发光元件并且围绕所述发光元件的三维保护结构。所述三维保护结构包括SiO32部分和能聚合的官能团。

主权项:1.发光复合物,包括发光元件,和结合至所述发光元件、并且围绕所述发光元件的三维保护结构,其中所述三维保护结构为包括SiO32部分和能聚合的官能团的具有三维结构的聚有机硅氧烷,其中所述发光元件包括如下之一:量子点、磷光体、荧光体、或它们的组合,和其中所述能聚合的官能团包括如下之一:甲基丙烯酸酯基团、环氧基团、苯乙烯基团、丙烯腈基团、N-乙烯基吡咯烷酮基团、乙烯基基团、或它们的组合。

全文数据:发光复合物和发光结构体与光学片材及电子装置对相关申请的交叉引用本申请要求于2018年4月12日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No。10-2018-0042876的优先权和权益,将其全部内容通过引用引入本文中。技术领域公开了发光复合物、发光结构体、光学片材、和电子装置器件。背景技术与块体材料不同,纳米颗粒的已知作为内在特性的物理特性例如,能带隙、熔点等可通过改变它们的颗粒尺寸控制。例如,向半导体纳米晶体也称作量子点供应光能或电能,且其可以与量子点的尺寸对应的波长发射光。因此,量子点可用作发射特定波长谱的光的发光元件单元。然而,发光元件如量子点可不仅在溶剂或聚合物中相互附聚且因此显示出恶化的可分散性,而且关于湿气或氧气是脆弱的且因此在空气中可被容易地氧化。另外,发光元件如量子点可显示出低的热稳定性。发明内容一种实施方式提供能够改善发光元件的可分散性、可靠性、和热稳定性的发光复合物。另一实施方式提供包括所述发光复合物的固化产物的发光结构体。又一实施方式提供包括所述发光结构体的光学片材。还一实施方式提供包括所述发光结构体的电子装置。根据一种实施方式,发光复合物包括发光元件和结合至所述发光元件并且围绕所述发光元件的三维保护结构体。所述三维保护结构包括SiO32部分和能聚合的官能团。在一些实施方式中,所述发光元件和所述三维保护结构可通过-C=ONRa-其中Ra为氢或者取代或未取代的C1-C10烃基彼此结合。在一些实施方式中,所述发光元件和所述三维保护结构可形成芯-壳结构。在一些实施方式中,所述三维保护结构可包括如下之一:-C=O-、-C=OO-、-OC=O-、-NRb-C=O-、-NRb-C=OO-、或-NRbOC=O-其中Rb为氢或者取代或未取代的C1-C10烃基、或它们的组合。在一些实施方式中,所述能聚合的官能团可包括如下之一:甲基丙烯酸酯基团、环氧基团、苯乙烯基团、丙烯腈基团、N-乙烯基吡咯烷酮基团、乙烯基基团、其衍生物、或它们的组合。在一些实施方式中,所述发光复合物可为由化学式1表示的前体和由化学式2表示的前体的缩聚反应产物。[化学式1]在化学式1中,Q为发光元件,L1为-C=ONRa-,其中Ra为氢或者取代或未取代的C1-C10烃基,L2为如下之一:单键、取代或未取代的C1-C20亚烷基、取代或未取代的C6-C30亚芳基、取代或未取代的二价C3-C30杂环基团、取代或未取代的C1-C20亚甲硅基、取代或未取代的二价C1-C30硅氧烷基团、或它们的组合,R1-R3独立地为如下之一:取代或未取代的C1-C20烷氧基、羟基、卤素、或羧基,和n为1或更大的整数。[化学式2]在化学式2中,L3和L5独立地为如下之一:单键、取代或未取代的C1-C20亚烷基、取代或未取代的C6-C30亚芳基、取代或未取代的二价C3-C30杂环基团、取代或未取代的C2-C20亚烯基、取代或未取代的C2-C20亚炔基、-Rc-O-Rd-、-Rc-NH-Rd-、-Rc-C=O-Rd-、或它们的组合,其中Rc和Rd独立地为C1-C10二价烃基,L4为如下之一:-O-、-S-、-C=O-、-C=OO-、-OC=O-、-C=O-NRe-、-C=OO-NRe-、或-OC=O-NRe-,其中Re为氢或者取代或未取代的C1-C6烃基之一,R4-R6独立地为如下之一:氢、取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取代的C1-C20烷氧基、取代或未取代的C3-C20环烷基、取代或未取代的C6-C20芳基、取代或未取代的C3-C20杂环基团、羟基、卤素、羧基、或它们的组合,条件是R4-R6的至少一个为取代或未取代的C1-C20烷氧基、羟基、卤素、或羧基之一,和R7为氢或甲基。所述三维保护结构可由化学式3表示。[化学式3]R8R9R10SiO12M1R11R12SiO22D1R13SiO32T1SiO42Q1在化学式3中,R8-R13独立地为如下之一:氢、取代或未取代的C1-C30烷基、取代或未取代的C3-C30环烷基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C7-C30芳烷基、取代或未取代的C1-C30杂烷基、取代或未取代的C2-C30杂环烷基、取代或未取代的C2-C30烯基、取代或未取代的C2-C30炔基、取代或未取代的C1-C30烷氧基、取代或未取代的C2-C30环氧基团、取代或未取代的C1-C30羰基、取代或未取代的C1-C30羧基、取代或未取代的酰胺基团、羟基、甲基丙烯酸酯基团、腈基、或它们的组合,R13之一包括与通过-C=ONRa-其中Ra为氢或者取代或未取代的C1-C10烃基结合的所述发光元件的连接点,R8-R13的至少一个包括能聚合的官能团,0≤M1峰值半宽度FWHMnm实施例1560nm50nm参照表1,实施例1的薄膜具有充分的光致发光特性。尽管已经关于目前被认为是实践性的实例实施方式的内容描述了本公开内容,但是将理解,本发明不限于所公开的实施方式,而是相反,意图覆盖包括在所附权利要求的精神和范围内的多种修改和等同布置。

权利要求:1.发光复合物,包括发光元件,和结合至所述发光元件、并且围绕所述发光元件的三维保护结构,其中所述三维保护结构包括SiO32部分和能聚合的官能团。2.如权利要求1所述的发光复合物,其中所述发光元件和所述三维保护结构通过-C=ONRa-彼此结合,其中Ra为氢或者取代或未取代的C1-C10烃基。3.如权利要求1所述的发光复合物,其中所述发光元件和所述三维保护结构形成芯-壳结构。4.如权利要求1所述的发光复合物,其中所述三维保护结构包括如下之一:-C=O-、-C=OO-、-OC=O-、-NRb-C=O-、-NRb-C=OO-、-NRbOC=O-、或它们的组合,其中Rb为氢或者取代或未取代的C1-C10烃基。5.如权利要求1所述的发光复合物,其中所述能聚合的官能团包括如下之一:甲基丙烯酸酯基团、环氧基团、苯乙烯基团、丙烯腈基团、N-乙烯基吡咯烷酮基团、乙烯基基团、其衍生物、或它们的组合。6.如权利要求1所述的发光复合物,其中所述发光复合物为由化学式1表示的前体和由化学式2表示的前体的缩聚反应产物:[化学式1]其中,在化学式1中,Q为发光元件,L1为-C=ONRa-,其中Ra为氢或者取代或未取代的C1-C10烃基,L2为如下之一:单键、取代或未取代的C1-C20亚烷基、取代或未取代的C6-C30亚芳基、取代或未取代的二价C3-C30杂环基团、取代或未取代的C1-C20亚甲硅基、取代或未取代的二价C1-C30硅氧烷基团、或它们的组合,R1-R3独立地为如下之一:取代或未取代的C1-C20烷氧基、羟基、卤素、或羧基,和n为1或更大的整数,[化学式2]其中,在化学式2中,L3和L5独立地为如下之一:单键、取代或未取代的C1-C20亚烷基、取代或未取代的C6-C30亚芳基、取代或未取代的二价C3-C30杂环基团、取代或未取代的C2-C20亚烯基、取代或未取代的C2-C20亚炔基、-Rc-O-Rd-、-Rc-NH-Rd-、-Rc-C=O-Rd-、或它们的组合,其中Rc和Rd独立地为C1-C10二价烃基,L4为如下之一:-O-、-S-、-C=O-、-C=OO-、-OC=O-、-C=O-NRe-、-C=OO-NRe-、或-OC=O-NRe-,其中Re为氢或者取代或未取代的C1-C6烃基之一,R4-R6独立地为如下之一:氢、取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取代的C1-C20烷氧基、取代或未取代的C3-C20环烷基、取代或未取代的C6-C20芳基、取代或未取代的C3-C20杂环基团、羟基、卤素、羧基、或它们的组合,条件是R4-R6的至少一个为如下之一:取代或未取代的C1-C20烷氧基、羟基、卤素、或羧基,和R7为氢或甲基。7.如权利要求1所述的发光复合物,其中所述三维保护结构由化学式3表示:[化学式3]R8R9R10SiO12M1R11R12SiO22D1R13SiO32T1SiO42Q1其中,在化学式3中,R8-R13独立地为如下之一:氢、取代或未取代的C1-C30烷基、取代或未取代的C3-C30环烷基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C7-C30芳烷基、取代或未取代的C1-C30杂烷基、取代或未取代的C2-C30杂环烷基、取代或未取代的C2-C30烯基、取代或未取代的C2-C30炔基、取代或未取代的C1-C30烷氧基、取代或未取代的C2-C30环氧基团、取代或未取代的C1-C30羰基、取代或未取代的C1-C30羧基、取代或未取代的酰胺基团、羟基、甲基丙烯酸酯基团、腈基、或它们的组合,R13之一包括与通过-C=ONRa-结合的所述发光元件的连接点,其中Ra为氢或者取代或未取代的C1-C10烃基,R8-R13的至少一个包括能聚合的官能团,0≤M11,0≤D11,0T11,0≤Q11,和M1+D1+T1+Q1=1。8.如权利要求1所述的发光复合物,其中所述发光元件包括如下之一:量子点、磷光体荧光体、或它们的组合。9.如权利要求1所述的发光复合物,其中所述发光复合物的粒径为所述发光元件的粒径的至少两倍大。10.发光结构体,包括:如权利要求1-9任一项所述的发光复合物的固化产物。11.如权利要求10所述的发光结构体,进一步包括:有机金属化合物的固化产物,或有机金属化合物和所述发光复合物的固化产物。12.如权利要求11所述的发光结构体,其中所述有机金属化合物包括如下之一:铝化合物、钛化合物、锆化合物、铪化合物、镁化合物、锡化合物、或它们的组合。13.如权利要求10所述的发光结构体,其中所述发光结构体在300℃下具有小于或等于5%的重量损失。14.光学片材,包括:如权利要求10-13任一项所述的发光结构体。15.电子装置,包括:如权利要求10-13任一项所述的发光结构体。16.如权利要求15所述的电子装置,其中所述电子装置包括光源、和在所述光源上的显示面板。17.如权利要求16所述的电子装置,其中所述发光结构体包括在所述光源中。18.如权利要求16所述的电子装置,其中所述显示面板包括颜色转换层,所述颜色转换层被供应有来自所述光源的第一可见光并且以与所述第一可见光相同的波长或者以比所述第一可见光长的波长发射第二可见光,和所述发光结构体包括在所述颜色转换层中。19.如权利要求18所述的电子装置,其中所述第一可见光为蓝色光,和所述第二可见光为如下之一:蓝色光、绿色光、红色光、或它们的组合。20.如权利要求16所述的电子装置,进一步包括:在所述光源和所述显示面板之间的光学片材,和其中所述发光结构体包括在所述光学片材中。21.如权利要求15所述的电子装置,其中所述电子装置包括彼此面对的第一电极和第二电极、以及在所述第一电极和所述第二电极之间的发射层,和所述发射层包括所述发光结构体。

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