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申请/专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司
摘要：本申请公开了一种曝光图形位置偏差的校正系统及校正方法，系统包括用于承载掩模的掩模台、用于承载晶圆的晶圆台以及用于控制所述掩模台和所述晶圆台扫描作业的扫描设备，其特征在于，还包括设置在有效曝光区域之外的激光器和第一传感器；所述激光器位于所述掩模台承载掩模的一侧，所述第一传感器位于所述掩模台承载掩模侧的相对侧，并且所述激光器和所述第一传感器始终位于垂直于掩模台表面的直线上；在扫描曝光作业期间，所述激光器与所述第一传感器用于在进行掩模扫描过程中实时测量所述掩模的形变量，以由光刻机根据该形变量调整掩模与晶圆之间的相对位置，从而在不中断生产的条件下，即达到了校正曝光图形位置偏差的目的，也提升了产品生产效率。
主权项：1.一种曝光图形位置偏差的校正系统，所述系统包括用于承载掩模的掩模台、用于承载晶圆的晶圆台以及用于控制所述掩模台和所述晶圆台扫描作业的扫描设备，其特征在于，还包括设置在有效曝光区域之外的激光器和第一传感器；所述激光器位于所述掩模台承载掩模的一侧，所述第一传感器位于所述掩模台承载掩模侧的相对侧，并且所述激光器和所述第一传感器位于垂直于掩模台表面的直线上；在扫描曝光作业期间，所述激光器与所述第一传感器用于在进行掩模扫描过程中实时测量所述掩模上对准标记或图案的位置偏差，并根据所述对准标记或图案的位置偏差获得所述掩模的形变量，以由光刻机根据该形变量调整掩模与晶圆之间的相对位置；其中，所述对准标记或图案的位置偏差为掩模加热前与加热后的位置偏差。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院微电子研究所 真芯(北京)半导体有限责任公司 曝光图形位置偏差的校正系统及校正方法
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