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申请/专利权人：和光同程光伏科技(宜宾)有限公司
申请日：2023-09-21
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN221176235U
主分类号：H01L31/0224
分类号：H01L31/0224;H01L31/0216
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.18#授权
摘要：本实用新型公开了一种选择发射极双面topcon结构，包括正面银铝电极、背面银电极、掺硼多晶硅层、第一隧穿氧化层；以及，由一面至另一面依次连接的：第一氮化硅层、氧化铝层、掺硼层、N型硅基体、第二隧穿氧化层、掺磷多晶硅层、第二氮化硅层。本申请中正面银铝电极与N型硅基体不直接接触，与掺硼多晶硅层进行接触，然后通过第一隧穿氧化层进行载流子的隧穿传输；背面银电极与掺磷多晶硅层进行接触，然后通过第二隧穿氧化层进行载流子的隧穿传输；而且只有金属电极处有topcon电子遂穿结构，为选择性发射极结构，有效改善电池的钝化且不影响非发射极区域，并且通过这样的结构设计来降低正面接触电阻。
主权项：1.选择发射极双面topcon结构，其特征在于，包括：正面银铝电极；背面银电极；掺硼多晶硅层；第一隧穿氧化层；以及，由一面至另一面依次连接的：第一氮化硅层；氧化铝层；在氧化铝层上设置有多个凹槽，每个凹槽内均设置有掺硼多晶硅层和第一隧穿氧化层；第一隧穿氧化层置于凹槽内底部，掺硼多晶硅层置于凹槽内并位于第一隧穿氧化层上方，正面银铝电极穿过第一氮化硅层后与掺硼多晶硅层接触；掺硼层；N型硅基体；第二隧穿氧化层；掺磷多晶硅层；背面银电极穿过第二氮化硅层后与掺磷多晶硅层接触；第二氮化硅层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 和光同程光伏科技(宜宾)有限公司 选择发射极双面topcon结构
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