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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第四十九研究所
申请日：2023-12-11
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN221173703U
主分类号：G01L9/02
分类号：G01L9/02;G01L19/06
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.18#授权
摘要：一种抗水流干扰的全量程硅压阻压力传感器，涉及传感器技术领域。为解决现有压力传感器多采用单只压力芯体感压膜片直接与引压孔相连的方式，水流流动对测压准确性干扰较大的问题。采用引压单元用于将被测介质与压力阀相连通，由于引压单元的第一流液管和第二流液管均与被测介质相连通，并同时通向蓄液腔体，所以对外界压强变化反应敏感，利于提升传感器的动态灵敏度；由于第一流液管和第二流液管是细长结构，并且蓄液腔体内的液体可以有效吸能，因此被测介质的流速对测量介质输出的干扰很小，从而提高了测压的准确性。本实用新型适用于传感器技术领域。
主权项：1.一种抗水流干扰的全量程硅压阻压力传感器，其特征在于：它包括引压单元1、压力阀2、第一压力芯体3、安装外壳4、电路组件5、牺牲阳极保护环6和第二压力芯体7；安装外壳4的截面为W型，且安装外壳4的内部其中一个凹槽处设有第一压力芯体3，安装外壳4的内部另一个凹槽处设有第二压力芯体7，安装外壳4的内部设有电路组件5，且电路组件5设置在第一压力芯体3的上方，安装外壳4的顶端设有盖板，且盖板的上表面中央处加工有圆形凸台，该圆形凸台的外表面中部加工有环形凹槽，且该环形凹槽上设有牺牲阳极保护环6，安装外壳4的底端设有压力阀2，压力阀2的底端设有引压单元1。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第四十九研究所 一种抗水流干扰的全量程硅压阻压力传感器
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