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申请/专利权人：美国亚德诺半导体公司
摘要：本公开涉及集成P‑N层的高电子迁移率晶体管器件。将p‑n二极管与诸如碳化硅SiC基板中的GaNHEMT集成的技术。p‑n二极管为器件提供雪崩鲁棒性，并为晶体管提供过电压保护。
主权项：1.一种化合物半导体异质结构晶体管器件，包括：基板；注入所述基板中的掺杂剂层，其中所述掺杂剂层包括形成第一区域的p型材料和形成第二区域的n型材料，并且其中所述第一区域与所述第二区域相邻；和第一半导体材料层，形成在第二半导体材料层上以形成具有二维电子气2DEG沟道的化合物半导体异质结构，其中所述2DEG沟道比所述第一半导体材料层或所述第二半导体材料层更导电。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 美国亚德诺半导体公司 集成P-N层的高电子迁移率晶体管器件
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