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申请/专利权人：铠侠股份有限公司
摘要：实施方式的存储装置具备存储单元，所述存储单元包含第1导电层、第2导电层、设置在第1导电层与第2导电层之间的第3导电层、设置在第1导电层与第3导电层之间的开关层、以及设置在第3导电层与第2导电层之间的电阻变化层，开关层包含第1元素的氧化物、锑Sb、及第2元素，所述第1元素是选自由锆Zr、铪Hf、钇Y、钽Ta、镧La、铈Ce、镁Mg、及钛Ti所组成的群中的至少一种元素，所述第2元素是选自由碳C、硼B、氮N、矽Si、及锡Sn所组成的群中的至少一种元素。
主权项：1.一种存储装置，具备存储单元，所述存储单元包含第1导电层、第2导电层、设置在所述第1导电层与所述第2导电层之间的第3导电层、设置在所述第1导电层与所述第3导电层之间的开关层、以及设置在所述第3导电层与所述第2导电层之间的电阻变化层，所述开关层包含第1元素的氧化物、锑Sb、及第2元素，所述第1元素是选自由锆Zr、铪Hf、钇Y、钽Ta、镧La、铈Ce、镁Mg、及钛Ti所组成的群中的至少一种元素，所述第2元素是选自由碳C、硼B、氮N、矽Si、及锡Sn所组成的群中的至少一种元素。
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