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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：一种半导体器件可以包括：半导体层，所述半导体层位于衬底上；第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述半导体层上；第一导电结构，所述第一导电结构被设置为在与所述衬底的底表面垂直的垂直方向上穿透所述第一绝缘层，并且连接到所述半导体层；第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述第一绝缘层和所述第一导电结构；第二导电结构，所述第二导电结构被设置为在所述垂直方向上穿透所述第二绝缘层，并且连接到所述第一导电结构；以及扩散阻挡层，所述扩散阻挡层覆盖所述第一绝缘层的顶表面并且延伸到所述第一导电结构的侧表面。所述第二导电结构的最下表面可以位于比所述第一绝缘层的顶表面高的高度。
主权项：1.一种半导体器件，包括：半导体层，所述半导体层位于衬底上；第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述半导体层上；第一导电结构，所述第一导电结构被设置为在与所述衬底的底表面垂直的垂直方向上穿透所述第一绝缘层，并且连接到所述半导体层；第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述第一绝缘层和所述第一导电结构；第二导电结构，所述第二导电结构被设置为在所述垂直方向上穿透所述第二绝缘层，并且连接到所述第一导电结构；以及扩散阻挡层，所述扩散阻挡层覆盖所述第一绝缘层的顶表面并且延伸到所述第一导电结构的侧表面，其中，所述第二导电结构的最下表面位于比所述第一绝缘层的所述顶表面高的高度。
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