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申请/专利权人：华为技术有限公司
摘要：本申请提供了一种Doherty功率放大器及电子设备，涉及功率放大器领域，能够减少Doherty功率放大器采用裸片die的数量。该Doherty功率放大器中，主功放电路包括第一放大管，第一辅功放电路包括第二放大管，第二辅功放电路包括第三放大管。Doherty功率放大器包括高电子迁移率晶体管；该晶体管包括源极、栅极、第一沟道层、第二沟道层、第一漏极、第二漏极；第一漏极与第一沟道层电连接，第二漏极与第二沟道层电连接。第一放大管和第三放大管复用高电子迁移率晶体管的源极。第一放大管和第三放大管复用高电子迁移率晶体管的栅极。高电子迁移率晶体管的第一漏极作为第一放大管的漏极。高电子迁移率晶体管的第二漏极作为第三放大管的漏极。
主权项：一种Doherty功率放大器，其特征在于，包括主功放电路、第一辅功放电路、第二辅功放电路；所述主功放电路包括第一放大管，所述第一放大管用于对输入至所述主功放电路的信号进行放大；所述第一辅功放电路包括第二放大管，所述第二放大管用于对输入至所述第一辅功放电路的信号进行放大；所述第二辅功放电路包括第三放大管，所述第三放大管用于对输入至所述第二辅功放电路的信号进行放大；所述Doherty功率放大器包括高电子迁移率晶体管；所述高电子迁移率晶体管包括源极、栅极、第一沟道层、第二沟道层、第一漏极、第二漏极；所述第一漏极与所述第一沟道层电连接，所述第二漏极与所述第二沟道层电连接；所述第一放大管的源极和所述第三放大管的源极相同，复用所述高电子迁移率晶体管的源极；所述第一放大管的栅极和所述第三放大管的栅极相同，复用所述高电子迁移率晶体管的栅极；所述高电子迁移率晶体管的第一漏极作为所述第一放大管的漏极；所述高电子迁移率晶体管的第二漏极作为所述第三放大管的漏极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华为技术有限公司 Doherty功率放大器及电子设备
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