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申请/专利权人：矽安光电科技(南通)有限公司
申请日：2024-03-13
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118226557A
主分类号：G02B5/09
分类号：G02B5/09;G03F7/20;B81C1/00
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明公开了一种基于芯片加工技术的45度硅反射镜的加工工艺，涉及硅湿法腐蚀制作反射镜技术领域；包括如下步骤：S1：采用偏100面9.74度切割抛光的硅晶圆作为加工原件；炉管生长一层掩膜层；S2：加工硅晶圆正面，采用光刻和干法刻蚀的方法，将需要打开的掩膜层的窗口设计一个矩形窗口；然后再用KOH腐蚀液在掩膜层打开的窗口处向下腐蚀硅，形成两个111面。本发明的技术方案，结合了硅微机电技术MEMS技术和简易的芯片加工技术，降低了技术难度和成本，提高了器件的性能，可靠性；硅基材料的芯片上制作的反射镜，它具有尺寸小，产出率高，成本低、重复性好、耐用性强、热学性能稳定等的优点。
主权项：1.一种基于芯片加工技术的45度硅反射镜的加工工艺，其特征在于，包括如下步骤：S1：采用偏100面9.74度切割抛光的硅晶圆作为加工原件；炉管生长一层掩膜层；S2：加工硅晶圆正面，采用光刻和干法刻蚀的方法，将需要打开的掩膜层的窗口设计一个矩形窗口；然后再用KOH腐蚀液在掩膜层打开的窗口处向下腐蚀硅，形成两个111面，两个111面形成V形槽结构，且其中一个111面与硅晶圆表面成45°夹角；S3：加工硅晶圆反面，按照S2的方式，对硅晶圆反面进行加工，加工时，确保正反两面的V形槽错位，且两个V形槽的111面平行；S4：用1％浓度氢氟酸去除掩模层，露出光洁的正面硅抛光面；S5：在抛光面蒸镀高反射金属膜；S6：从正反面的V形槽底部朝垂直于硅片表面的方向进行切割；S7：切割完毕，将与硅片正面夹角45度的腐蚀面作为反射镜底面，即可得到45度反射镜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 矽安光电科技(南通)有限公司 一种基于芯片加工技术的45度硅反射镜的加工工艺
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