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申请/专利权人：江苏多维科技有限公司
摘要：本申请提供的三轴磁场传感器，其Z轴磁场转换结构为中空方形NiFe结构，在所述空心方形结构至少一组对边内侧包含Z轴磁场传感器，两组对边外侧分别包括一个X轴磁场传感器和Y轴磁场传感器。利用中空方形NiFe结构磁场转换作用和磁场屏蔽作用，配合MTJ磁阻的选择以及空间位置上布局实现同时测量X、Y、Z方向的磁场或和Z方向磁场梯度，同时每个轴磁场传感器能够消除其他方向上磁场的干扰，提高测量精度。本发明提供的三轴磁场传感器抗干扰能力强，结构紧凑，工艺简单，制作成本低。
主权项：1.一种三轴磁场传感器，其特征在于，所述三轴磁场传感器，包括：在X-Y平面呈边长宽度均匀的中空矩形的Z轴磁场转换结构，若干内侧MTJ磁阻和若干外侧MTJ磁阻；所述Z轴磁场转换结构在X-Y平面上的第一组对边平行于X轴、第二组对边平行于Y轴，所述中空矩形在Z轴方向上高于所有的内侧MTJ磁阻和外侧MTJ磁阻；所述Z轴磁场转换结构中空矩形的每条边外侧、距离该条边第一距离的位置上设置若干MTJ磁阻，即外侧MTJ磁阻；所述Z轴磁场转换结构中空矩形的至少一组对边中每条边内侧、距离该条边相同距离的位置上均设置若干MTJ磁阻，即内侧MTJ磁阻；所述中空矩形每组对边的外侧MTJ磁阻构成相邻两个桥臂灵敏系数相等、灵敏方向相反且零磁场电阻值相同的一个惠斯通全桥，即第一惠斯通全桥；每条边的所述外侧MTJ磁阻构成所述第一惠斯通全桥的一个半桥；所述至少一组对边的内侧MTJ磁阻构成桥臂灵敏系数相等且零磁场电阻值相同、同一半桥两个桥臂灵敏方向相反、不同半桥上桥臂或下桥臂灵敏方向相同的一个惠斯通全桥，即第二惠斯通全桥；所述至少一组对边中每条边的内侧MTJ磁阻构成所述第二惠斯通全桥的一个半桥；由第一组对边的外侧MTJ磁阻构成的第一惠斯通全桥的Y轴磁场灵敏系数不为零，用于测量Y轴方向磁场；由第二组对边的外侧MTJ磁阻构成的第一惠斯通全桥的X轴磁场灵敏系数不为零，用于测量X轴方向磁场；所述第二惠斯通全桥的X轴磁场灵敏系数或Y轴磁场灵敏系数不为零，用于测量Z轴磁场。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江苏多维科技有限公司 一种三轴磁场传感器
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