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申请/专利权人：郭泊含
摘要：本发明公开了一种N极性GaN基多层结构、其制备方法及应用。所述N极性GaN基多层结构包括沿第一方向依次设置的第一衬底、第一阻挡层、键合层、第二阻挡层、第一缓冲层、第一势垒层、第二势垒层、沟道层和帽层；所述第一方向为从Ga极性面指向N极性面的方向，所述第一缓冲层为施主杂质掺杂的重掺杂缓冲层，所述第一势垒层为多组分势垒层。所述N极性GaN基多层结构可以通过Ga极性GaN多层结构外延工艺及外延层转移工艺制备。相较于现有技术，本发明的N极性GaN基多层结构制备工艺难度更低，可以有效缓解器件电流崩塌效应，显著改善N极性面功率或射频器件性能。
主权项：1.一种N极性GaN基多层结构，其特征在于包括沿第一方向依次设置的第一衬底、第一阻挡层、键合层、第二阻挡层、第一缓冲层、第一势垒层、第二势垒层、沟道层和帽层；所述第一方向为从Ga极性面指向N极性面的方向，所述第一缓冲层为施主杂质掺杂的重掺杂缓冲层，所述第一势垒层为多组分势垒层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 郭泊含 N极性GaN基多层结构、其制备方法及应用
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