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申请/专利权人：内蒙古鑫华半导体科技有限公司
摘要：本发明公开了一种电子级多晶硅还原炉的底盘清洁方法，包括底盘初清、底盘腐蚀钝化以及底盘深清，底盘初清包括清除底盘的待清洁表面的粉尘杂质；底盘腐蚀钝化包括：通过密封结构与底盘构造出封闭空间，以使待清洁表面位于封闭空间内；对封闭空间内的待清洁表面上的多晶硅聚合物清理；底盘深清包括：去除密封结构，并清洗待清洁表面。根据本发明的电子级多晶硅还原炉的底盘清洁方法，采用底盘初清、底盘腐蚀钝化以及底盘深清对底盘的多晶硅聚合物进行清理，避免使用打磨的方式清理多晶硅聚合物，避免金属杂质进入电子级多晶硅生产系统，进而可以提高多晶硅产品的质量。
主权项：1.一种电子级多晶硅还原炉的底盘清洁方法，其特征在于，包括：底盘初清，所述底盘初清包括清除底盘的待清洁表面的粉尘杂质；底盘腐蚀钝化，所述底盘腐蚀钝化包括：通过密封结构与所述底盘构造出封闭空间，以使所述待清洁表面位于所述封闭空间内；对所述封闭空间内的所述待清洁表面上的多晶硅聚合物清理，所述对所述封闭空间内的所述待清洁表面上的多晶硅聚合物清理包括：朝向所述封闭空间内通入第一清洗溶剂，使得所述第一清洗溶剂对所述待清洁表面的多晶硅聚合物腐蚀第一预设时间，所述第一清洗溶剂包括氟化氢铵溶液；朝向所述封闭空间内通入第二清洗溶剂，并使得所述第二清洗溶剂对所述待清洁表面清洗第二预设时间，以清除所述待清洁表面腐蚀后的多晶硅聚合物以及残留的所述第一清洗溶剂；朝向所述封闭空间内通入第一干燥气体，以去除所述待清洁表面残留的第二清洗溶剂，并干燥所述待清洁表面；底盘深清，所述底盘深清包括：去除密封结构，并清洗所述待清洁表面。
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