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申请/专利权人：日本碍子株式会社
摘要：本发明提供一种偏角分布小的AlN单晶基板。该AlN单晶基板是具有半径r的圆形状的AlN单晶基板，在将AlN单晶基板划分为从AlN单晶基板的中心沿径向至0.4r的区域即中心部、从AlN单晶基板的中心沿径向至0.7r的区域中除中心部以外的区域即中间部以及从AlN单晶基板的整个区域中除中心部和中间部以外的区域即外周部这三个区域的情况下，中心部的位错密度Dc、中间部的位错密度Dm以及外周部的位错密度Dp满足Dm＞Dp＞Dc的关系。
主权项：1.一种AlN单晶基板，其中，所述AlN单晶基板具有半径为r的圆形状，在将所述AlN单晶基板划分为中心部、中间部以及外周部这三个区域的情况下，所述中心部的位错密度Dc、所述中间部的位错密度Dm以及所述外周部的位错密度Dp满足Dm＞Dp＞Dc的关系，所述中心部是从所述AlN单晶基板的中心沿径向至0.4r的区域，所述中间部是从所述AlN单晶基板的中心沿径向至0.7r的区域中除所述中心部以外的区域，所述外周部是从所述AlN单晶基板的整个区域中除所述中心部和所述中间部以外的区域。
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