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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
摘要：本发明公开了一种波长锁定半导体激光器及其制备方法，所述激光器包括第一电极、衬底、缓冲层、下包层、下波导层、有源层、上波导层、上包层、光栅层、钝化层和第二电极；述下包层、下波导层、上波导层或上包层中设置有电流限制结构，所述有源层设置有量子阱或量子点，所述激光器沿纵向的两端分别设置有增透膜和高反膜。本发明中，通过将光栅层设置在激光器表面，不需要二次外延技术和掩埋悬浮光栅设计即可实现半导体激光器波长锁定，工艺简单、成品率高、成本低廉；且斜率效率与二次外延技术方案的性能相当。
主权项：1.一种波长锁定半导体激光器，其特征在于：包括由下至上依次设置的衬底、缓冲层、下包层、下波导层、有源层、上波导层、上包层、光栅层和钝化层；所述衬底的下端设置有第一电极；所述下包层、下波导层、上波导层或上包层中设置有电流限制结构；所述有源层设置有量子阱或量子点；所述光栅层中设置有一阶光栅结构或高阶光栅结构；所述钝化层上设置有第二电极，所述钝化层对应光栅层的上方开设有电极窗口，所述第二电极伸入电极窗口并与光栅层连接；所述激光器沿纵向的两端分别设置有增透膜和高反膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第四十四研究所 波长锁定半导体激光器及其制备方法
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