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申请/专利权人：苏州纳维科技有限公司
摘要：本发明公开了一种GaN的生长设备和制备方法。本发明提供了一种GaN的生长设备，分为内外两个部分，外部为中间设有圆形通孔块状结构的引导生长环，内部为空心圆柱状结构的抑制生长环。并根据该结构提供了一种GaN的制备方法，引导生长环的外围远离中心通孔区域，延伸了固气边界，从而能有效地引导固气边界产生的GaN缺陷生长发生在石英托盘外边的的GaN多晶上，让这种不好的GaN多晶生长在石英托盘的外部进行。抑制生长环的材质为比热容小，导热小的材料。工作时，该材质温度明显要高于反应腔内GaN单晶生长温度，确保GaN厚膜衬底边缘温差足够大，使之完全可以抑制边缘生长速率的突增。
主权项：1.一种GaN的生长设备，其特征在于：包括：抑制生长环，为圆柱状，该抑制生长环的内部提供GaN单晶生长所需的空间，所述抑制生长环的材质满足该抑制生长环在加热环境下具有比内部空间更高的温度，以使得GaN单晶生长时，距离所述抑制生长环更近的区域具有更低的生长速率；引导生长环，套设在所述抑制生长环的至少一部分上，该引导生长环的一个表面和所述抑制生长环的端面处于同一水平面上，所述引导生长环为GaN多晶材料，且其边缘形状被设计成使得GaN多晶更易于生长在该引导生长环上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州纳维科技有限公司 一种GaN的生长设备和制备方法
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