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申请/专利权人：复旦大学
摘要：本申请公开了一种激光器，属于半导体技术领域，该方法包括：衬底、p型电极和n型电极；衬底表面设置有外延结构；外延结构包括沿背离衬底的方向依次设置的下限制层、下波导层、量子阱层、势垒层、上波导层、上限制层和p型电极接触层；量子阱层和势垒层构成异质结，以在量子阱层和势垒层形成的异质界面处产生二维电子气；外延结构背离衬底的表面包括脊状波导区域和第一凹槽区域；p型电极设置在脊状波导区域，与p型电极接触层欧姆接触；n型电极设置在第一凹槽区域，与下波导层或量子阱层欧姆接触。本申请不会受到电离杂质的影响，具有很高的电子迁移率和相对较低的串联电阻，在大功率条件下产生较少的热量，从而提高了激光器的性能。
主权项：1.一种激光器，其特征在于，包括：衬底、p型电极和n型电极；所述衬底表面设置有外延结构；所述外延结构包括沿背离所述衬底的方向依次设置的下限制层、下波导层、量子阱层、势垒层、上波导层、上限制层和p型电极接触层；所述量子阱层和所述势垒层构成异质结，以在所述量子阱层和所述势垒层形成的异质界面处产生二维电子气；所述外延结构背离所述衬底的表面包括脊状波导区域和第一凹槽区域；所述p型电极设置在所述脊状波导区域，与所述p型电极接触层欧姆接触；所述n型电极设置在所述第一凹槽区域，与所述下波导层或所述量子阱层欧姆接触。
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