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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要：一种半导体结构及其形成方法、芯片的形成方法，其中方法包括：提供晶圆，所述晶圆包括基底和位于所述基底上的器件层，所述晶圆还包括若干芯片区和相邻芯片区之间的划片道区，所述晶圆具有所述器件层所在的第一面，以及与所述第一面相对的第二面；自所述第一面刻蚀所述晶圆，在所述划片道区内形成凹槽，所述凹槽的深度大于所述晶圆内的所述器件层的深度，在对所形成的半导体结构进行后续的封装过程中，自所述第二面平坦化所述晶圆，直到暴露出所述凹槽，即可使所述若干芯片区相互之间分离，减少了对所述划片道相邻的芯片区的影响，可以避免机械切割或激光切割造成的芯片性能不良或失效风险。
主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供晶圆，所述晶圆包括基底和位于所述基底上的器件层，所述晶圆还包括若干芯片区和相邻芯片区之间的划片道区，所述晶圆具有所述器件层所在的第一面，以及与所述第一面相对的第二面；自所述第一面刻蚀所述晶圆，在所述划片道区内形成凹槽，所述凹槽的深度大于所述晶圆内的所述器件层的深度。
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百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体结构及其形成方法、芯片的形成方法
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