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申请/专利权人：ASMIP私人控股有限公司
摘要：公开了在衬底上选择性地形成含Si外延层的方法和半导体处理设备。目前描述的形成含Si外延层的方法的实施例包括执行沉积过程，用于相对于不同于第一暴露单晶表面的第二暴露单晶表面，选择性地在第一暴露单晶表面上形成含Si外延层。
主权项：1.一种在衬底上选择性地形成含Si外延层的方法，该方法包括：-向处理室提供衬底，该衬底包括暴露表面，该暴露表面包括第一暴露表面和第二暴露表面，-执行沉积过程，从而相对于第二暴露表面在第一暴露表面上选择性地形成含Si外延层，沉积过程包括向处理室提供含Si前体，其中，含Si前体是卤代聚硅烷前体，并且其中第一暴露表面是单晶表面，并且其中第二暴露表面是具有与第一暴露表面不同的晶体取向的单晶表面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： ASMIP私人控股有限公司 形成外延层的方法
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