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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：本发明涉及形成半导体结构的方法。该方法包括在第一介电层上方沉积蚀刻停止层ESL。ESL层沉积可以包括：在第一介电层上方流动第一前体；净化第一前体的至少部分；在第一介电层上方流动第二前体以形成ESL层的子层；并且净化第二前体的至少部分。该方法还可以包括在ESL层上沉积第二介电层以及在第二介电层中并且穿过ESL层形成通孔。
主权项：1.一种形成半导体互连结构的方法，包括：在沉积室中沉积第一介电层；在所述第一介电层中形成多个金属结构；在沉积室中对所述第一介电层和所述多个金属结构进行第一等离子体处理，其中，使氨NH3流动到所述沉积室中以使所述氨与所述第一介电层和所述多个金属结构发生反应；在所述第一介电层上形成具有约30％至约45％的铝含量、约55％至约70％的氧含量和约0.5％至约3％的氢含量的蚀刻停止层，所述蚀刻停止层包括：使三甲基铝TMA前体在所述第一电介质层上流动；吹扫所述三甲基铝前体的至少部分，其中，所述吹扫包括使第一惰性气体流入沉积室；使第二前体流入所述沉积室，其中，所述第二前体经配置以与所述三甲基铝前体的悬空键反应以形成所述蚀刻停止层；和吹扫所述第二前体的至少部分，其中所述吹扫包括使第二惰性气体流入所述沉积室；对所述蚀刻停止层执行第二等离子体处理；以及在所述蚀刻停止层上沉积第二介电层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 形成半导体结构的方法
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