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申请/专利权人：上海毅笃功率半导体科技有限公司
摘要：本发明提供一种能够独立控制掺杂浓度的半导体器件的有源区和端接区的制作方法以及半导体器件的制作方法。所述有源区和端接区的制作方法，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底包括有源区和端接区，所述有源区包括至少一垂直沟道；在所述垂直沟道内覆盖掺杂层，所述掺杂层与被覆盖的垂直沟道为同质材料，且所述掺杂层的掺杂浓度大于被覆盖的垂直沟道的掺杂浓度；通过高温热扩散工艺使掺杂层和被掺杂层覆盖的垂直沟道具有相同的掺杂浓度。上述技术方案通过选择性外延生长和热扩散工艺，独立控制有源区和端接区的掺杂剂浓度。这种方法，为高压沟槽MOSFET、TMBS和IGBT器件提供了鲁棒性。
主权项：1.一种能够独立控制掺杂浓度的半导体器件的有源区和端接区的制作方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底包括有源区和端接区，所述有源区包括至少一垂直沟道；在所述垂直沟道内覆盖掺杂层，所述掺杂层与被覆盖的垂直沟道为同质材料，且所述掺杂层的掺杂浓度大于被覆盖的垂直沟道的掺杂浓度；通过高温热扩散工艺，使掺杂层和被掺杂层覆盖的垂直沟道具有相同的掺杂浓度。
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百度查询： 上海毅笃功率半导体科技有限公司 能够独立控制掺杂浓度的半导体器件的有源区和端接区的制作方法以及半导体器件的制作方法
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