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增强型氮化镓晶体管 

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申请/专利权人:美国亚德诺半导体公司

摘要:本公开涉及增强型氮化镓晶体管。制造增强型HEMT器件的技术,其中通过外延生长半导体层例如氮化铝AlN或氮化铝镓AlGaN以耗尽二维电子气2DEG通道,通过器件的背面实现常关特性。该掩埋半导体层,例如掩埋AlN或AlGaN层,有利地保持高跨导,并且比其他增强模式技术更易于栅极缩放。

主权项:1.一种化合物半导体异质结构晶体管器件,包括:基板;形成在所述基板上的第一半导体材料层,其中所述第一半导体材料层包括台面形区域;形成在所述第一半导体材料层上的第二半导体材料层;第三半导体材料层,形成在所述第二半导体材料层上,以形成具有二维电子气2DEG沟道的化合物半导体异质结构,其中所述2DEG沟道比所述第二半导体材料层或所述第三半导体材料层更导电;漏极电极,电耦合到所述2DEG沟道;源极电极,电耦合到所述2DEG沟道;和形成在所述第三半导体材料层上的栅极电极。

全文数据:

权利要求:

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