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申请/专利权人：株式会社ADEKA
摘要：本发明提供在基体的表面制造含有铟原子或镓原子的薄膜的方法，其包括：使将含有下述通式1表示的化合物的原子层沉积法用薄膜形成用原料气化而得到的原料气体中的所述化合物吸附于所述基体的表面来形成前体薄膜的工序；和使所述前体薄膜与反应性气体反应而在所述基体的表面形成含有铟原子或镓原子的薄膜的工序，式中，R1及R2各自独立地表示氢原子或碳原子数1～5的烷基，L表示由下述通式L‑2表示的基团，M表示铟原子或镓原子，在烷基中，氢原子的一部分或全部可以被氟原子取代，式中，R21～R23各自独立地表示氢原子、氟原子或碳原子数1～5的烷基，*表示与通式1中的M的键合位置，R21与R22为不同的基团，在烷基中，氢原子的一部分或全部可以被氟原子取代。
主权项：1.一种薄膜的制造方法，是在基体的表面制造含有铟原子或镓原子的薄膜的方法，其包括：使将含有下述通式1表示的化合物的原子层沉积法用薄膜形成用原料气化而得到的原料气体中的所述化合物吸附于所述基体的表面来形成前体薄膜的工序；和使所述前体薄膜与反应性气体反应而在所述基体的表面形成含有铟原子或镓原子的薄膜的工序， 式中，R1及R2各自独立地表示氢原子或碳原子数1～5的烷基，L表示由下述通式L-2表示的基团，M表示铟原子或镓原子，在烷基中，氢原子的一部分或全部可以被氟原子取代， 式中，R21～R23各自独立地表示氢原子、氟原子或碳原子数1～5的烷基，*表示与通式1中的M的键合位置，R21与R22为不同的基团，在烷基中，氢原子的一部分或全部可以被氟原子取代。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 株式会社ADEKA 原子层沉积法用薄膜形成用原料及薄膜的制造方法
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