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【发明公布】一种Cs3Sb2I9太阳能电池及其制备方法_常州工学院_202410520509.2 

申请/专利权人:常州工学院

申请日:2024-04-28

公开(公告)日:2024-06-21

公开(公告)号:CN118234254A

主分类号:H10K30/15

分类号:H10K30/15;H10K30/50;H10K30/86;H10K30/85;H10K30/82;H10K30/81;H10K71/40;H10K71/12

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.06.21#公开

摘要:本发明公开了一种Cs3Sb2I9太阳能电池及其制备方法,从下到上依次包括衬底、前电极层、TiO2电子传输层、Cs3Sb2I9吸收层、P3HT空穴传输层和背电极层,其中,前电极层的厚度为200~500nm、TiO2电子传输层的厚度为25~50nm、Cs3Sb2I9吸收层的厚度为150~250nm、P3HT空穴传输层的厚度为30~50nm、背电极层的厚度为2~4um。本发明的制备方法,通过热蒸发法制备的Cs3Sb2I9吸收层致密性好、质地均匀,从而可以大幅提高Cs3Sb2I9太阳能电池的开路电压、短路电流密度、填充因子、光电转换效率等光伏特性。

主权项:1.一种Cs3Sb2I9太阳能电池,其特征在于:从下到上依次包括衬底11、前电极层22、TiO2电子传输层33、Cs3Sb2I9吸收层44、P3HT空穴传输层55、和背电极层66,其中,前电极层22的厚度为200~500nm、TiO2电子传输层33的厚度为25~50nm、Cs3Sb2I9吸收层44的厚度为150~250nm、P3HT空穴传输层55的厚度为30~50nm、背电极层66的厚度为2~4um。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 常州工学院 一种Cs3Sb2I9太阳能电池及其制备方法

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