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申请/专利权人：美商艾德亚半导体科技有限责任公司
摘要：公开了具有导电特征和隔离特征的结合结构。在一个示例中，一种结合结构可以包括第一元件，该第一元件包括第一绝缘层和设置在第一绝缘层中的至少两个第一导电特征。结合结构还可以包括第二元件，该第二元件包括第二绝缘层和设置在第二绝缘衬底中的至少两个第二导电特征。第一元件可以直接结合到第二元件，其中至少两个第一导电特征与至少两个第二导电特征对准。结合结构还可以包括在第二绝缘层中并且在至少两个第二导电特征之间的隔离特征。隔离特征的介电常数可以比第二绝缘层的介电常数低。
主权项：1.一种结合结构，包括：第一元件，包括第一绝缘层和设置在所述第一绝缘层中的至少两个第一导电特征；第二元件，包括第二绝缘层和设置在所述第二绝缘衬底中的至少两个第二导电特征，所述第一元件被直接结合到所述第二元件，其中所述至少两个第一导电特征与所述至少两个第二导电特征对准；以及隔离特征，在所述第二绝缘层中并且在所述至少两个第二导电特征之间，所述隔离特征具有比所述第二绝缘层的介电常数低的介电常数。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 美商艾德亚半导体科技有限责任公司 结合结构中的降低的寄生电容
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