龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：华为技术有限公司
摘要：本申请提供了一种芯片和终端，涉及半导体技术领域，可以延缓晶体管的电流饱和，降低栅极驱动电压。该芯片包括晶体管，晶体管包括设置于衬底上的沟道层、栅介电层、铁电层、以及栅极。铁电层设置于沟道层与所述栅极之间，铁电层的等效厚度为栅介电层的等效厚度与沟道层中反型层的等效厚度之和。栅介电层的等效厚度反型层的等效厚度其中，D1表示栅介电层的实际厚度，K表示SiO2的介电常数，K1表示栅介电层的介电常数，D2表示反型层的实际厚度，K2表示反型层的介电常数。
主权项：1.一种芯片，其特征在于，包括晶体管，所述晶体管包括设置于衬底上的沟道层、栅介电层、铁电层、以及栅极；所述铁电层设置于所述沟道层与所述栅极之间；所述铁电层的等效厚度为所述栅介电层的等效厚度与所述沟道层中反型层的等效厚度之和；所述栅介电层的等效厚度所述反型层的等效厚度其中，D1表示所述栅介电层的实际厚度，K表示SiO2的介电常数，K1表示所述栅介电层的介电常数，D2表示所述反型层的实际厚度，K2表示所述反型层的介电常数。
全文数据：
权利要求：
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号