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申请/专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;张江国家实验室
摘要：本发明提供了一种硅光器件及其制造方法，所述硅光器件包括依次设置的衬底、第一埋氧层、绝缘介质层、互连结构、前道硅化物波导、后道硅化物波导和绝缘连接层。所述前道硅化物波导和所述后道硅化物波导分别设置于所述绝缘介质层底部和顶部内，所述前道硅化物波导和所述后道硅化物波导中的一个靠近所述互连结构设置，另一个远离所述互连结构设置，所述绝缘连接层分别与所述后道硅化物波导和所述前道硅化物波导相接触且折射率大于所述绝缘介质层的折射率且小于等于所述前道硅化物波导和所述后道硅化物波导中折射率最小的硅化物波导，使得无需衬底掏空工艺或使用小模场透镜光纤就能够将光从后道硅化物波导进入前道硅化物波导中，有利于简化加工工艺。
主权项：1.一种硅光器件，其特征在于，包括：顺次堆叠的衬底、第一埋氧层和绝缘介质层；互连结构，设置于所述绝缘介质层内；前道硅化物波导，设置于所述绝缘介质层底部；后道硅化物波导，设置于所述绝缘介质层顶部；所述前道硅化物波导和所述后道硅化物波导中的一个硅化物波导靠近所述互连结构设置，另一个硅化物波导远离所述互连结构设置；绝缘连接层，分别与所述后道硅化物波导和所述前道硅化物波导相接触，折射率大于所述绝缘介质层的折射率且小于等于所述前道硅化物波导和所述后道硅化物波导中折射率最小的硅化物波导。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海集成电路研发中心有限公司 张江国家实验室 硅光器件及其制造方法
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