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申请/专利权人：西北大学
申请日：2024-05-24
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118223115A
主分类号：C30B23/00
分类号：C30B23/00;B82Y15/00;B82Y30/00;C30B28/12;C30B29/46;H01L31/08;B82Y40/00
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明提供了一种二维匕首状GeSe纳米线阵列的制备方法及光电应用，以GeSe粉末为前驱体，采用物理气相沉积法。物理气相沉积法中，将加热源温度调至560℃～620℃；衬底的边缘与石英管的加热源中心之间的距离为24.5～27.5cm。衬底与石英管底部的距离为4cm。物理气相沉积法中采用的衬底为SiO2Si衬底。二维匕首状GeSe纳米线阵列用于制备光电探测器件的应用。光电探测器件在780nm波长光下的光响应上升时间为142ms，下降时间为939ms。在780nm光照射条件下，560℃条件下制备的二维匕首状GeSe纳米线阵列结晶质量高，纳米带直径均匀，暗电流、光电流和响应度均较大。
主权项：1.一种二维匕首状GeSe纳米线阵列的制备方法，该方法以GeSe粉末为前驱体，其特征在于，采用物理气相沉积法，制得二维匕首状GeSe纳米线阵列；所述的物理气相沉积法中，将加热源温度调至560℃～620℃；所述的物理气相沉积法中，将清洗干净的衬底置于石英管中，衬底的边缘与石英管的加热源中心之间的距离为24.5～27.5cm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西北大学 一种二维匕首状GeSe纳米线阵列的制备方法及光电应用
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