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申请/专利权人：杭州积海半导体有限公司
摘要：本发明提供了一种PDSOI晶体管及其制造方法，包括：SOI衬底，所述SOI衬底包括底硅层、位于所述底硅层上的埋氧化层以及位于所述埋氧化层上的顶硅层，所述顶硅层中形成有阱区；栅极结构，所述栅极结构位于所述SOI衬底上；以及，源级和漏极，所述源级和所述漏极分别位于所述栅极结构两侧的所述阱区中，所述源级为外延工艺结构并且至少部分的所述源级的导电类型和所述阱区的导电类型相同。源级为通过外延生长工艺形成的外延工艺结构，并且至少部分的所述源级的导电类型和所述阱区的导电类型相同，由此，体区中的电荷能够经由所述源级被引出，从而避免了由此而产生的浮体效应的问题，提高了PDSOI晶体管的质量和可靠性。
主权项：1.一种PDSOI晶体管，其特征在于，所述PDSOI晶体管包括：SOI衬底，所述SOI衬底包括底硅层、位于所述底硅层上的埋氧化层以及位于所述埋氧化层上的顶硅层，所述顶硅层中形成有阱区；栅极结构，所述栅极结构位于所述SOI衬底上；以及，源级和漏极，所述源级和所述漏极分别位于所述栅极结构两侧的所述阱区中，所述源级为外延工艺结构并且至少部分的所述源级的导电类型和所述阱区的导电类型相同。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州积海半导体有限公司 PDSOI晶体管及其制造方法
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