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申请/专利权人：华为技术有限公司
摘要：本申请提供了一种高电子迁移率晶体管、Doherty功率放大器及电子设备，涉及半导体技术领域，本申请采用一种新型的沟道高电子迁移率晶体管对Doherty功率放大器中多路功放电路的功率放大器进行替代，从而能够减少Doherty功率放大器采用裸片die的数量。该高电子迁移率晶体管包括衬底以及设置在衬底上从下到上层叠设置的第一沟道层、第一势垒层、第二沟道层、第二势垒层、帽层。其中，第一势垒层位于第一沟道层远离衬底的一侧，第二势垒层位于第二沟道层远离衬底的一侧。该晶体管还包括栅极、源极、第一漏极、第二漏极。帽层设置在第二势垒层远离衬底的一侧，源极、栅极、第二漏极设置在帽层上，第一漏极设置在第一沟道层上、且与第一沟道层电连接。
主权项：一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括：衬底；在所述衬底上层叠设置的第一沟道层和第一势垒层，所述第一势垒层位于所述第一沟道层远离所述衬底的一侧；在所述第一势垒层上层叠设置的第二沟道层和第二势垒层，所述第二势垒层位于所述第二沟道层远离所述衬底的一侧；帽层，所述帽层设置在所述第二势垒层远离所述衬底的一侧；第一漏极，所述第一漏极设置在所述第一沟道层上、且与所述第一沟道层电连接；设置在所述帽层上的源极、栅极、第二漏极，所述第二漏极与所述第二沟道层电连接，所述源极与所述第一沟道层、所述第二沟道层均电连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华为技术有限公司 高电子迁移率晶体管、Doherty功率放大器及电子设备
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