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申请/专利权人：东北大学;沈阳中北通磁科技股份有限公司
摘要：本发明属于稀土永磁材料技术领域，公开一种低熔点合金钕铁硼晶界扩散源及其涂覆方法。使用LR_HR_M系列LR代表轻稀土元素，HR代表重稀土元素，M代表过渡金属元素低熔点合金作为扩散源对烧结钕铁硼磁体进行晶界扩散，扩散后磁体的矫顽力大幅提高，显微组织分析显示，轻稀土与过渡金属能够润湿晶界，为重稀土打开扩散通道，在主相晶粒周围形成了Nd,TbDy2Fe14BNd2Fe14B核‑壳结构。与以往的晶界扩散方法相比，本发明的扩散方法能够提高扩散效率的同时节省大量成本。
主权项：1.一种低熔点合金钕铁硼晶界扩散源，其特征在于，所述低熔点合金钕铁硼晶界扩散源组成元素包括轻稀土元素Pr、重稀土元素HR和过渡金属元素M；所述重稀土元素HR为Tb或Dy；所述过渡金属元素M为Cu、Al、Ga中的两种以上。
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