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用于单片集成Micro-LED、Mini-LED和LED阵列的复合阴极接触 

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申请/专利权人:亮锐有限责任公司

摘要:一种LED器件包括包含半导体层的台面,该半导体层包括N型层、有源层和P型层,该台面具有顶表面和至少一个侧壁,该至少一个侧壁限定了具有底表面的沟槽。透明导电层在至少一个侧壁上和在沟槽中。阴极层在沟槽中、在透明导电层上。p型接触在台面的顶表面上。在一些实施例中,在透明导电层和阴极层之间形成间隔层。在其他实施例中,分布式布拉格反射器形成在透明导电层和阴极层之间。

主权项:1.一种发光二极管LED器件,包括:包括半导体层的台面,所述半导体层包括N型层、有源层和P型层,所述台面具有顶表面和至少一个侧壁,所述至少一个侧壁限定了具有底表面的沟槽;在所述至少一个侧壁上和在所述沟槽中的透明导电层;在所述沟槽中、在所述透明导电层上的阴极层;和在所述台面的顶表面上的p型接触。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 亮锐有限责任公司 用于单片集成Micro-LED、Mini-LED和LED阵列的复合阴极接触

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