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申请/专利权人：阿莱戈微系统有限责任公司
摘要：本公开涉及一种磁阻元件，其包括：具有平面外定向的参考磁化210的参考层21；具有感测磁化230的感测层23，所述感测磁化230包括在存在外部磁场60的情况下稳定的涡旋配置，并且当所述外部磁场60在平面外方向上变化时，所述感测磁化230可相对于所述参考磁化在平面外方向上可逆地移动；以及在所述参考层与所述感测层之间的隧道势垒层22。所述感测层具有小于200纳米的厚度。所述感测层23包括铁磁材料，所述铁磁材料被配置成使得感测磁化在300和1400emucm3之间，并且使得所述感测层23具有大于1kOe79.6×103Am的垂直磁各向异性场。本公开进一步涉及包括多个磁阻元件的磁阻传感器。
主权项：1.磁阻元件，包括：具有平面外定向的参考磁化210的参考层21；具有感测磁化230的感测层23，所述感测磁化230包括在存在外部磁场60的情况下稳定的涡旋配置，当所述外部磁场60在平面外方向上变化时，所述感测磁化230可相对于所述参考磁化210在平面外方向上可逆地移动；以及在所述参考层21与所述感测层23之间的隧道势垒层22；其特征在于，所述感测层23具有小于200纳米的厚度；所述感测层23包括铁磁材料，所述铁磁材料被配置成使得所述感测磁化230在300和1400emucm3之间；以及使得所述感测层23具有大于79.6×103Am的垂直磁各向异性场HPMA。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 阿莱戈微系统有限责任公司 具有高平面外灵敏度的磁阻元件
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