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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本发明实施例提供一种半导体结构及其制作方法，半导体结构的制作方法包括：提供衬底，衬底包括相邻的阵列区和外围区，阵列区包括与外围区相连的缓冲区；在衬底上形成依次层叠的第一介质层、第一支撑层、第二介质层、第二支撑层以及第三介质层，第一支撑层至少位于外围区，第一介质层位于第一支撑层和衬底之间，第二介质层覆盖第一支撑层和衬底，第二支撑层以及第三介质层位于阵列区和外围区；在缓冲区内形成至少贯穿第三介质层以及第二支撑层的凹槽型下电极，凹槽型下电极的底面位于第一介质层内或者位于第二介质层内；采用湿法刻蚀工艺去除第三介质层；在去除第三介质层之后刻蚀外围区的第二支撑层。本发明有利于避免外围区的衬底受到损伤。
主权项：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括相邻的阵列区和外围区，所述阵列区包括与所述外围区相连的缓冲区；在所述衬底上形成依次层叠的第一介质层、第一支撑层、第二介质层、第二支撑层以及第三介质层，所述第一支撑层至少位于所述外围区，所述第一介质层位于所述第一支撑层和所述衬底之间，所述第二介质层覆盖所述第一支撑层和所述衬底，所述第二支撑层以及所述第三介质层位于所述阵列区和所述外围区；在所述缓冲区内形成至少贯穿所述第三介质层以及所述第二支撑层的凹槽型下电极，所述凹槽型下电极的底面位于所述第一介质层内或者位于所述第二介质层内；采用湿法刻蚀工艺去除所述第三介质层；在去除所述第三介质层之后刻蚀所述外围区的所述第二支撑层。
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权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构及其制作方法
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