龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
摘要：本发明涉及一种MEMS器件制造方法及MEMS器件，选用SOI绝缘体硅片作为衬底，通过SOI顶层硅与作为结构层的硅晶圆进行硅‑硅键合，使整个制造工艺可以兼容VHF工艺；在形成疏水有机膜之前，先在需要去除疏水有机膜的区域淀积一层牺牲层二氧化硅，在形成疏水有机膜后，可以借助VHF工艺将键合区和电极区上的二氧化硅牺牲层刻蚀掉，去除二氧化硅的同时也一并将键合区和电极区上的疏水有机膜去除干净，而其他区域需要保留的疏水有机膜则不会受到影响。本发明所公开的制造方法工艺简单、可实施性强、能够同时将键合区和电极区上的疏水有机膜去除干净，且不会对其他区域保留下来的疏水有机膜造成破坏。
主权项：1.一种MEMS器件制造方法，其特征在于：内容包括：步骤1：选择SOI晶圆作为衬底，并在SOI晶圆的顶层硅上刻蚀形成凹腔和绝缘槽，绝缘槽从凹腔底部刻蚀至埋氧层；步骤2：完成步骤1后，将硅晶圆的其中一面与SOI晶圆的顶层硅表面采用硅-硅键合连接，然后在硅晶圆的另一相对面上形成金属键合区和电极区，金属键合区和电极区表面均形成有牺牲层；步骤3：完成步骤2后，在硅晶圆上刻蚀形成可动质量块；步骤4：完成步骤3后，形成疏水有机膜，疏水有机膜覆盖金属键合区及电极区表面的牺牲层，还覆盖可动质量块表面及侧面，以及覆盖凹腔内表面；步骤5：完成步骤4后，采用VHF气相刻蚀工艺去除金属键合区及电极区表面的牺牲层，然后将盖晶圆与硅晶圆表面的金属键合区键合连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 一种MEMS器件制造方法及MEMS器件
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号