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申请/专利权人：浙桂(杭州)半导体科技有限责任公司
摘要：本发明提供了一种高填充系数雪崩二极管传感器，包括，制备于传感器芯片上的SPAD像元二维阵列，所述SPAD像元二维阵列包括：若干像元组，每个像元组包括至少两个SPAD像元；若干AFE集中摆放区域，一个或多个所述像元组的控制检测电路集中配置于同一个AFE集中摆放区域内；以及，围绕每个AFE集中摆放区域设置的隔离区域。本发明通过对SPAD像元和控制检测电路分别进行集中布局的方法，显著减少了像元和控制电路之间的隔离区域所占用的面积，进而缩小了芯片面积，并有效提高了SPAD传感器的填充系数，从而为基于FSI或者非像元级互联的BSI工艺低成本地制备具有高填充系数的雪崩二极管传感器奠定了技术基础。
主权项：1.一种高填充系数雪崩二极管传感器，其特征在于，包括，制备于传感器芯片上的SPAD像元二维阵列，所述SPAD像元二维阵列包括：若干像元组，每个像元组包括至少两个SPAD像元；若干AFE集中摆放区域，一个或多个所述像元组的控制检测电路集中配置于同一个AFE集中摆放区域内；以及，围绕每个AFE集中摆放区域设置的隔离区域；其中，不同的像元组采用至少两种摆放模式周期性地交错摆放于同一行或同一列上；在一个周期内，第一像元组的一部分像元相邻地摆放于对应的第一AFE集中摆放区域的一侧，另一部分像元间隔第二像元组的一部分像元摆放于第一AFE集中摆放区域的另一侧，且与第二像元组对应的第二AFE集中摆放区域相邻，第二像元组的另一部分像元相邻地摆放于第二AFE集中摆放区域的另一侧；或者，不同的像元组采用至少两种摆放模式周期性地交错摆放；在一个周期区域内，第一像元组对应的第一AFE集中摆放区域和第二像元组对应的第二AFE集中摆放区域相邻设置，共用一个隔离区域；第一像元组和第二像元组的一部分像元交错摆放于相邻AFE集中摆放区域的一侧，另一部分像元交错摆放于相邻AFE集中摆放区域的另一侧。
全文数据：
权利要求：
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