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申请/专利权人：昆明理工大学
摘要：本发明涉及一种利用切割硅废料制备6N高纯硅的方法，属于硅资源再生利用技术领域。本发明将切割硅废料与金属还原剂按比例混合均匀后进行压片或造粒成团处理得到含硅物料；将含硅物料置于高压真空炉内进行加压金属热还原处理得到热还原硅料；将热还原硅料粉碎得到硅粉，置于酸液中搅拌浸出，过滤、洗涤、干燥得到5N高纯硅粉；5N高纯硅粉熔融后进行真空定向凝固提纯得到6N高纯硅。本发明利用加压金属热还原对切割硅废料表面的氧化层进行原位还原并同时引入多孔结构，使切割硅废料内部残留的杂质充分暴露，便于强化酸洗除杂，并严格控制真空定向凝固除杂来实现6N高纯硅的目的。
主权项：1.一种利用切割硅废料制备6N高纯硅的方法，其特征在于：具体步骤如下：（1）将切割硅废料与金属还原剂按比例混合均匀后进行压片或造粒成团处理得到含硅物料；所述切割硅废料的含水量小于6%；（2）将含硅物料置于高压真空炉内进行加压金属热还原处理得到热还原硅料；所述加压金属热还原处理的温度为600~1800℃，压力为10~20MPa，时间为0.5~48h；（3）将热还原硅料粉碎得到硅粉，置于酸液中搅拌浸出，过滤、洗涤、干燥得到5N高纯硅粉；（4）5N高纯硅粉熔融后进行真空定向凝固提纯得到6N高纯硅。
全文数据：
权利要求：
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