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【发明授权】一种半导体外延设备及其基座组件_北京北方华创微电子装备有限公司_202011011476.7 

申请/专利权人:北京北方华创微电子装备有限公司

申请日:2020-09-23

公开(公告)日:2024-06-21

公开(公告)号:CN112117225B

主分类号:H01L21/673

分类号:H01L21/673;H01L21/687;H01L21/20;H01L21/67

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.06.21#授权;2021.01.08#实质审查的生效;2020.12.22#公开

摘要:本发明提供一种半导体外延设备中的基座组件,包括固定基座和支承件,支承件可转动地设置在固定基座上形成的旋转槽中,固定基座中形成有侧吹通路和底吹通路,侧吹通路在旋转槽的侧壁上形成有侧吹孔,底吹通路在旋转槽的底壁上形成有底吹孔;底吹通路用于向支承件的底部喷射气体,以在旋转槽中抬起支承件;支承件侧壁上设置有多个驱动部,侧吹通路用于向支承件的侧壁及驱动部喷射气体,以驱动支承件转动。在本发明中,侧吹孔和底吹孔分别由侧吹通路和底吹通路单独供气,支承件的高度与转速可独立调节,提高了控制支承件转速的精确性以及基座组件整体结构的稳定性,改善了半导体工艺的工艺效果。本发明还提供一种半导体外延设备。

主权项:1.一种半导体外延设备中的基座组件,包括固定基座和支承件,所述固定基座上形成有旋转槽,所述支承件可转动地设置在所述旋转槽中,所述支承件用于承载晶圆或晶圆托盘,其特征在于,所述固定基座中形成有侧吹通路和底吹通路,所述侧吹通路在所述旋转槽的侧壁上形成有至少一个侧吹孔,所述底吹通路在所述旋转槽的底壁上形成有至少一个底吹孔;所述底吹通路用于通过所述底吹孔向所述支承件的底部喷射气体,以在所述旋转槽中抬起所述支承件;所述支承件侧壁上设置有多个驱动部,所述侧吹通路用于通过所述侧吹孔向所述支承件的侧壁及所述驱动部喷射气体,以驱动所述支承件在所述旋转槽中转动;所述多个驱动部包括开设在所述支承件侧壁上的多个凹槽;所述侧吹孔的开口朝向与所述旋转槽的径向之间存在夹角。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 北京北方华创微电子装备有限公司 一种半导体外延设备及其基座组件

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