龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：北京航空航天大学
申请日：2022-03-03
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN114572930B
主分类号：B81C3/00
分类号：B81C3/00;B81C99/00;G01K7/18;G01P5/00
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.21#授权;2022.06.21#实质审查的生效;2022.06.03#公开
摘要：基于MEMS工艺的微尺度流动换热高精度集成测试方法，包括：基于MEMS工艺的实验件加工；测试系统的集成；本发明通过玻璃激光打孔和硅晶圆的等离子体刻蚀技术，完成测压点的原位引出测量，避免了局部压力损失；利用金属电阻温度系数特性，通过电阻变化测量当前薄膜热电阻处的温度大小，将薄膜热电阻置于加热膜上方，使其更加贴近通道壁面，获得的温度数据更加准确；通过多层晶圆键合技术，将带测压孔的玻璃片、带微通道及测温热电阻的上硅片、带加热膜的下硅片进行分别依次进行多晶圆依次键合，保证微通道的密封性以及带金属薄膜硅表面的精确对准键合，结合测试系统的集成最终实现了测压、测温、加热与可视化的一体化设计。
主权项：1.基于MEMS工艺的微尺度流动换热高精度集成测试方法，其特征为：包括如下部分：第一部分：基于MEMS工艺的实验件加工；其中，所述实验件包括三层晶圆键合，该三层晶圆从上到下依次为玻璃片、上硅片和下硅片，键合方式分别为硅-玻璃阳极键合、硅-硅辅助键合，硅片中主要为上部磁控溅射的加热膜；上硅片中的微通道尺寸为300μm×300μm×3.5cm，薄膜热电阻的衬底采用Ti作为粘附层，厚度70nm，线宽参数为16μm，蛇形环绕的长度为564μm，厚度为600nm，薄膜热电阻大小约为80μm×100μm，预估阻值为6.3Ω，在引线焊盘Pad部分，再次磁控溅射金属金，其薄膜厚度为600nm；第二部分：测试系统的集成。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京航空航天大学 基于MEMS工艺微尺度流动换热高精度集成测试方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号