申请/专利权人：苏州闻道电子科技有限公司

申请日：2022-01-26

公开（公告）日：2024-06-21

公开（公告）号：CN114481030B

主分类号：C23C14/16

分类号：C23C14/16;C23C14/02;C23C14/06;G01T3/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.21#授权;2022.05.31#实质审查的生效;2022.05.13#公开

摘要：本发明提供了一种固体中子转换层及其制备方法和应用，属于碳化硼薄膜制造领域。本发明通过对基体经过离子轰击处理，然后加镀铝膜，很好的改善了应力特性，保证镀制的碳化硼薄膜具有足够高的强度不会破裂和脱落，同时铝膜为微米纳米级铝膜，应力小，可以和基底保持良好的粘附性；在基体和碳化硼薄膜之间添加亚微米至微米级的铝层作为表面处理层，当碳化硼薄膜原子在微米级厚度的铝层上成核聚集并成膜的过程中，由于铝膜表面的粗糙度而存在的微小“缝隙”，碳化硼薄膜成膜过程中原子的应力存在被弛豫、释放掉的空间，从而可以成功镀制微米级低应力甚至无应力的碳化硼薄膜。

主权项：1.一种固体中子转换层的制备方法，包括以下步骤：（1）对基体进行离子轰击，得到预处理基体；（2）采用磁控溅射法在所述步骤（1）得到的预处理基体表面制备铝膜；（3）采用磁控溅射法在所述步骤（2）得到的铝膜表面制备碳化硼薄膜，得到固体中子转换层；所述步骤（1）中基体为铜、铝或铝合金；所述步骤（1）中离子轰击的离子源为射频电源；所述离子源与基体的距离为50~80mm；所述离子轰击的工作气体为氩气，所述氩气的流量为10~20sccm；所述离子轰击的电压为800~1200V；所述离子轰击的电流为800~1000mA；所述离子轰击的时间为60~100min；所述步骤（2）中铝膜的厚度为2.5μm~20μm；所述步骤（2）中磁控溅射的工作气体为氩气，磁控溅射的靶材为纯铝，磁控溅射的功率为800~1200W，磁控溅射的沉积速率为20~30nmmin，磁控溅射的时间为10~120min；所述步骤（3）中磁控溅射的工作气体为氩气，所述氩气的流速为20~50sccmm；所述磁控溅射的气压＜0.5Pa；所述磁控溅射的靶材为碳化硼，所述碳化硼为天然碳化硼或含10B元素96%以上的浓缩碳化硼，所述靶材和预处理基体的距离为50~80mm；所述磁控溅射的功率为2000~3000W；所述磁控溅射的沉积速率为10~20nmmin；所述磁控溅射的时间为50~150min。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 苏州闻道电子科技有限公司 一种固体中子转换层及其制备方法和应用

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