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申请/专利权人：杭州纤纳光电科技有限公司

摘要：本发明涉及一种钙钛矿晶体薄膜的制备方法，包括步骤：配制含碳酸氢铵的金属卤化物溶液；在基底表面涂布或沉积步骤1制备的含碳酸氢铵的金属卤化物溶液，得到金属卤化物薄膜；将含氮卤化物扩散进入金属卤化物薄膜，反应得到钙钛矿晶体薄膜层。本发明还公开一种使用该方法进行钙钛矿太阳能电池的制备方法。本发明通过适量碳酸氢铵添加剂的引入，促进了两步法制备钙钛矿薄膜的过程中，钙钛矿组分的充分扩散、反应，易于大面积制备均匀且厚的钙钛矿晶体薄膜。

主权项：1.一种钙钛矿晶体薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：配制含碳酸氢铵的金属卤化物溶液；步骤2：在基底表面涂布或沉积步骤1制备的含碳酸氢铵的金属卤化物溶液，得到金属卤化物薄膜；步骤3：将含氮卤化物扩散进入金属卤化物薄膜，反应得到钙钛矿晶体薄膜层；在所述步骤1中，配制含碳酸氢铵的金属卤化物溶液的方法是将卤化铅粉末溶解在溶剂中配制成溶液，在该溶液中含有添加剂，所述添加剂为碳酸氢铵，所用的溶剂包括酰胺类溶剂、砜类亚砜类溶剂、酯类溶剂、烃类、卤代烃类溶剂、醇类溶剂、酮类溶剂、醚类溶剂、芳香烃溶剂中至少一种；在含碳酸氢铵的金属卤化物溶液中，阳离子中二价金属铅的摩尔百分数不低于80%，阴离子包括负一价氯离子、溴离子、碘离子、硫氰酸根、乙酸根中的至少一种，阴离子中碘离子的摩尔百分数不低于80%；在步骤2中，所述基底包括透明导电层和半导体材料层，其在波长为350nm～800nm范围光透过率不低于80%；所述透明导电层包括相互复合的支撑层与功能层，所述支撑层的材料包括玻璃、聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）、聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN）及聚酰亚胺（PI）中任意一种，所述功能层的材料包括氧化铟锡（ITO）、掺氟氧化锡（FTO）、掺铝氧化锌（AZO）中任意一种；所述半导体材料层的材料包括空穴传输材料或电子传输材料，所述空穴传输材料包括氧化镍、氧化钒、氧化钼、硫化铜、硫氰酸亚铜、氧化铜、氧化亚铜、氧化钴、PTAA、PEDOT、Spiro-MeOTAD和它们的掺杂物中的至少一种，该空穴传输材料制备的半导体材料层厚度为5nm~200nm；所述电子传输材料包括二氧化钛、氧化锌、硫化镉、二氧化锡、三氧化二铟、氧化钨、氧化铈、C60、C70、PCBM以及它们的衍生物或掺杂物中的至少一种，该电子传输材料制备的半导体材料层厚度为5nm~300nm；在步骤2的金属卤化物薄膜和步骤3的钙钛矿晶体薄膜的制备过程中，处理温度不超过200℃。

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