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申请/专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日：2020-11-24
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN112466757B
主分类号：H01L21/48
分类号：H01L21/48;H01L23/488
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.21#授权;2021.03.26#实质审查的生效;2021.03.09#公开
摘要：本申请提供一种薄膜沉积方法及基片，该薄膜沉积方法，包括循环执行以下步骤，直至基片上沉积的薄膜的厚度达到目标厚度：沉积步骤，将基片传入第一工艺腔室，向第一工艺腔室内通入沉积气体，将沉积气体激发为等离子体，使等离子体轰击第一工艺腔室中的靶材，在基片上沉积形成小于预设厚度的薄膜；刻蚀步骤，将基片传入第二工艺腔室，向第二工艺腔室内通入刻蚀气体，将刻蚀气体激发为等离子体，对沉积步骤中形成的薄膜进行刻蚀，蚀除薄膜的一部分。应用本申请，可以降低薄膜的中心与边缘的厚度和形貌差异，提高薄膜的方阻均匀性。
主权项：1.一种薄膜沉积方法，其特征在于，包括以下步骤：沉积步骤，将基片传入第一工艺腔室，向所述第一工艺腔室内通入沉积气体，将所述沉积气体激发为等离子体，使所述等离子体轰击所述第一工艺腔室中的靶材，在所述基片上沉积形成小于预设厚度的薄膜；所述该预设厚度为所述薄膜中的原子从无序状态向有序状态转变的临界值；所述预设厚度大于或等于150nm，且小于或等于300nm；刻蚀步骤，将所述基片传入第二工艺腔室，向所述第二工艺腔室内通入刻蚀气体，将所述刻蚀气体激发为等离子体，对所述沉积步骤中形成的薄膜进行刻蚀，蚀除所述薄膜的一部分；刻蚀掉的部分薄膜的厚度为所述沉积步骤中沉积的薄膜的厚度的5％-20％；循环执行所述沉积步骤和所述刻蚀步骤，直至所述基片上沉积的薄膜的厚度达到目标厚度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京北方华创微电子装备有限公司 薄膜沉积方法及基片
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